Lecture 14. Bipolar Transistor Characteristic. Intro. to Biasing
Basic Properties of Bipolar Transistor Collector의 전류 값은 앞서 배웠듯이 위와 같은 exp의 관계를 갖는다. 그럼 여기서 Is의 값에 대해서 알아보자. 우선 Is는 위와 같이 식이 써지고 Ae는 emitter cross section area Wb는 Base width Nb는 doping in base를 말한다. 여기서 중요한 값은 Ae이다. 병렬로 transistor를 연결시 키 주면 emitter의 cross section이 늘어나는 것이고 (ex 4.2) 그 결과 Is가 증가하면서 Ic가 증가하게 된다. 그럼 이제 transistor의 특징에 대해 알아보자. - Vbe가 60mV 증가하게 되면 Ic는 얼마의 변화를 보일까? 결과적으로 말하자면 Ic는 10배가..
윤. 전기전자/Biploar Transistor
2021. 1. 13. 23:49