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윤. 전기전자/Biploar Transistor

  • RAZAVI EX)5-50,51,53

    2021.01.28 by dlaehdbs123

  • RAZAVI EX)5-42

    2021.01.28 by dlaehdbs123

  • Lecture 28. Emitter Follower & Summary

    2021.01.24 by dlaehdbs123

  • Lecture 27. Emitter Follower(Common Collector stage)

    2021.01.24 by dlaehdbs123

  • Lecture 26. Common-Base Stage

    2021.01.24 by dlaehdbs123

  • Lecture 25. Biasing Techniques 2

    2021.01.21 by dlaehdbs123

  • Lecture 24. Biasing Techniques 1

    2021.01.19 by dlaehdbs123

  • Lecture 23. More on Emitter Degeneration

    2021.01.19 by dlaehdbs123

RAZAVI EX)5-50,51,53

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 28. 19:21

RAZAVI EX)5-42

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 28. 19:17

Lecture 28. Emitter Follower & Summary

본격적으로 이야기해보기 전에 두 가지를 언급하고 넘어가려고 한다. 1) 이와 같은 회로에서 emitter에서의 impedance 값을 구해보자. 우선 base에 R1과 R2가 존재하는데 ssm에서 이 두 저항은 병렬로 연결되어 있다. 그럼 저번에 말한 것처럼 base의 저항을 1/(1+beta)배 만큼 감소하게 된다. 이를 바탕으로 Ra와 Rb를 구해서 병렬로 합쳐주면 우리가 원하는 impedance 값을 구할 수 있다. 2) 위와 같은 방법이 있고 아래와 같은 회로에서 emitter follower라고 생각하면 base가 input emitter가 output이다. 옆에 간단한 회로로 나타내면 thevinen circuit을 구했다고 생각하면 된다. 그럼 Rout을 쉽게 구해 줄 수 있다. 이 테프난 ..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 24. 20:57

Lecture 27. Emitter Follower(Common Collector stage)

-Emitter Follower 이와 같이 base가 Vin이고 emitter가 Vout이다. 근데 이와 같이 회로를 구성하면 Ic가 흐를수가 없다. 그래서 emitter에 저항을 추가로 연결해줘야 한다. 여기서 Gain을 구하기위해 ssm을 그려보면 여기서 Vpi를 우선 구하면 Vin-Vpi=Vout임으로 이를 이용해 KCL을 하면 위와 같은 결론을 얻을 수 있다. gain의 분모와 분자에 Re의 자리에는 emitter의 저항의 합을 넣어주면 된다. 그리고 위의 현태를 아래와 같이 voltage divider로 생각해 줄 수 있다. 그럼 emitter follower에 Rc의 저항을 collector에 연결해주면 변화가 있을까??? -> 앞서 식에서 보면 알 수 있듯이 Rc의 존재가 Gain에 영향을 ..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 24. 19:11

Lecture 26. Common-Base Stage

-Common Base Stage common base라고 하면 ssm에서 base가 GND다 된다는 의미로 생각하면 된다. 위와 같이 emitter가 Vin이고 collector가 Vout인 회로이다. 여기서 gain을 구하면 우선 Vpi를 구하고 이를 바탕으로 KCL을 하면 아래와 같다. 여기서 봐야할 점은 바로 부호이다. Common Emitter stage에서는 부호가 - 이다. 이러한 부호의 차이가 나는 이유를 생각해보자. Vin에서 emitter의 전압이 증가한다고 하면 Vbe의 값이 감소하게 되고 그로 인해 Rc의 전압강하가 감소해서 Vout이 증가하게 된다. 그에 비해 Common Emitter stage는 base에 전압이 증가하면 Vbe의 값이 증가하여 Ic의 값이 증가하고 이로 인해 ..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 24. 02:08

Lecture 25. Biasing Techniques 2

저번에 말하다만 Vcc의 변화에 따른 sensitivity를 줄이는 내용에 대해 이야기해보자. -Sensitivity to Vx changes 이를 ssm으로 나타내면 아래와 같다. Vx는 voltage divider로 얻은 전압의 값이다. emitter의 전압을 Ve라고 하면 Re에 흐르는 전류의 값은 I=V/R을 통해 Ve/Re임을 알 수 있다. KVL을 이용해 Vpi를 구하면 이를 이용해 emitter로 흐르는 전류를 구하면 이 식을 Ve/Vx로 정리하면 위와 같이 정리할 수 있다. 이를 구하는 이유는 Vx의 변화 즉 Vcc의 변화에 따른 emitter 전압의 변화를 알아보기 위함이다. 즉 위의 결과에 의하면 Re의 값이 1/gm이 더 크면 이 두 전압의 변화량이 비슷해진다. 이렇게 되면 Vbe의 ..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 21. 01:44

Lecture 24. Biasing Techniques 1

CE Degeneration 의 몇 가지 예시를 우선 하고 넘어가자. EX) Rout을 구해보자. 여기서 R1만 없으면 단순히 앞 서구 한 Rout인 하지만 여기서는 R1이 collector에서 emitter로 연결되어 있다. 이는 ro와 비슷한 구조이다. 즉 R1과 ro가 parallel하게 연결되어 있음을 예상해 볼 수 있다. 그럼 small signal model을 그려보면 ro와 R1이 병렬로 연결된 상태임을 다시한번 확인할 수 있다. 이를 통해 ro에 R1이 병렬로 연결된 하나의 저항으로 생각하면 아래와 같은 결과를 얻을 수 있다. EX) 이번에는 constant current source을 emitter에 연결했을 때를 보자. Small signal model에서 I1은 open 상태로 된다...

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 19. 23:48

Lecture 23. More on Emitter Degeneration

-Properties of CE Stage with Degeneration 1) Gain, 공정으로 인한 그리고 input으로 인한 변수를 줄여줄 수 있다. 그럼 여기서 Ic로 인한 오차를 줄이려면 Re를 1/gm보다 크게 하면 된다. 2) Degeneration이 있으면 분모에 Re가 추가로 생기면서 voltage gain이 낮아진다. 3) 분모에는 collector의 저항값 분자에서 Re는 emitter의 저항값을 넣어주면 된다. -Input Impedance 이를 구하기 위해서 ssm을 그리면 아래와 같다. 우선 Vpi를 없애기 위해서 옴의 법칙을 이용하면 아래와 같다. 이를 바탕으로 Re의 전압의 값을 구하면 아래와 같다. 이제 여기서 KVL을 이용하여 input impedance를 구하면 아래와..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 19. 14:10

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