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EX1) 위의 회로의 gain의 경우 위와 같이 구해줄 수 있다. 해당 회로에서 두 가지 경우에 대해 생각해보자. 1) Bias Current is halved 1/2*Id 전류가 1/2가 되면 gm의 공식에 따라 루트 2배만큼 감소하게 된다. 그에 비해 ro는 2배가 늘어나게 되면서 결과적으로 기존의 gain보다 2배가 증가하게 된다. 2) width of M1, M2 is doubled/ Id constant W의 값이 2배가 되면 gm은 루트 2배 증가하게 된다. 전류의 값은 일정함으로 ro에는 변함없다. EX2) 위의 회로에서 앞서 한것과 같이 두 가지 case를 생각해보자. 1) half current 전류가 반이 되면 gm의 값이 루트 2배만큼 줄어들고 ro는 두배 증가한다. 이를 바탕으로 아..

윤. 전기전자/Cascode 2021. 7. 8. 01:24

-Effects of DC Offsets on Integrators 앞서 적분기를 배울 때 실제로 이렇게 사용하지 않는다고 했는데 그 이유 중 하나가 바로 offset 때문이다. 이제는 virtual GND가 없다. 우선 Vin=0으로 해주고 전류가 Vin으로 흐른다고 가정한 상태로 Vos의 영향을 생각해 보자. R1과 C1에 흐르는 전류의 값을 우선 구했다. 이를 Q=CV를 이용하여 수식을 전개하면 아래와 같다. 이를 그래프로 나타내면 아래와 같이 나오게 된다. 수식과 다르게 증가하다가 일정한 값으로 나타나게 되는데 이는 OpAmp에 supply voltage 값이다. 애초에 OpAmp가 무에서 유를 창조하는 것이 아니기 때문에 supply voltage라는 한계가 존재하고 이 값에 도달하면 satur..

윤. 전기전자/Op Amp 2021. 2. 23. 17:03

오늘은 OpAmp를 다양하게 사용해보자 - Precision Rectifier 우리가 앞서 배운 rectifier는 다이오드를 이용하였다. 이때 Vin이 Vd,on을 넘기면 Vout으로 인식되고 그 이하의 전압은 D1이 OPEN 상태가 되어 흐르지 못한다. 그렇게 되면 아래와 같은 결과로 나타나게 된다. Vin이 Vd,on보다 작은 값의 신호로 가정하면 Vout에서는 아무것도 인식하지 못하는 단점이 있다. 그럼 이를 해결하기 위해 OpAmp를 이용해 보자. 위와 같이 연결했을때 Ao가 매우 높다고 가정해보면 Vin=Vout이 된다. 이렇게 되면 Vin이 작은 값이어도 Vout에서 인식을 할 수 있게 된다. 그리고 Vin이 음의 값이 된다고 가정하면 Vout 또한 음의 값이 된다. 그렇게 되면 GND에서 ..

윤. 전기전자/Op Amp 2021. 2. 23. 14:59

-CMOS( Complementary MOS) Technology 실제로는 NMOS와 PMOS를 동시에 같이 사용한다. 그런데 NMOS의 경우 p-substrate를 사용하고 PMOS는 n-sub를 사용한다. 그럼 이를 동시에 어떻게 이용할까?? 위의 그림과 같이 well을 만든다. 즉 p-sub에 n-well을 만들어서 PMOS를 만들어준다. 물론 반대로 만드는 것도 가능하다. EX) Vthn=0.5V(NMOS Vth) Vthp=-0.6V(PMOS Vth)로 모든 문제를 가정해보자. NMOS에서는 source의 전압이 제일 낮아야 하므로 위와 같이 source와 drain을 설치해주었다. 그럼 Vgs를 구하면 0.7V이고 Vgs-Vth=0.2V가 나오게 된다. Vds=0.8V로 Vgs-Vth보다 높으므..

윤. 전기전자/MOS Transistor 2021. 2. 3. 01:12

우선 Lecture 18에서 깜빡하고 안다룬 PNP transistor의 large signal model과 small signal model에 대해 이야기해보자. -Large Signal Model 이와 같이 생겼고 전류의 방향은 emitter에서 collector와 base로 나아가는 방향이다. -Small Signal Model 결과를 말하자면 PNP와 NPN small signal model이 같다. EX) small signal model을 구해보자. Constant Voltage source는 모두 short로 바꿔서 생각하면 된다. Quiz) 위와 같이 PNP와NPN이 동시에 연결된 상태에서 small signal model을 살펴보자. Constant Voltage source 는 shor..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 17. 20:45

Basic Properties of Bipolar Transistor Collector의 전류 값은 앞서 배웠듯이 위와 같은 exp의 관계를 갖는다. 그럼 여기서 Is의 값에 대해서 알아보자. 우선 Is는 위와 같이 식이 써지고 Ae는 emitter cross section area Wb는 Base width Nb는 doping in base를 말한다. 여기서 중요한 값은 Ae이다. 병렬로 transistor를 연결시 키 주면 emitter의 cross section이 늘어나는 것이고 (ex 4.2) 그 결과 Is가 증가하면서 Ic가 증가하게 된다. 그럼 이제 transistor의 특징에 대해 알아보자. - Vbe가 60mV 증가하게 되면 Ic는 얼마의 변화를 보일까? 결과적으로 말하자면 Ic는 10배가..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 13. 23:49