내운연 주식회사

오늘은 간단히 PNP와 NPN transistor가 연결된 회로를 풀어보았다. V/R 윤.

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 17. 23:03

우선 Lecture 18에서 깜빡하고 안다룬 PNP transistor의 large signal model과 small signal model에 대해 이야기해보자. -Large Signal Model 이와 같이 생겼고 전류의 방향은 emitter에서 collector와 base로 나아가는 방향이다. -Small Signal Model 결과를 말하자면 PNP와 NPN small signal model이 같다. EX) small signal model을 구해보자. Constant Voltage source는 모두 short로 바꿔서 생각하면 된다. Quiz) 위와 같이 PNP와NPN이 동시에 연결된 상태에서 small signal model을 살펴보자. Constant Voltage source 는 shor..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 17. 20:45

Early Effect Early Effect는 Vce로 인해 base 와 collector 사이의 depletion region이 두꺼워지면서 이로 인해 전류의 값이 증가하는 현상을 말한다. Official Method of Small Signal Model Derivation: Step1: Assume the transistor is biased at a certain operating mode. transistor가 operating mode로 biased 되어있다고 가정하고 시작한다. Step2: Apply a voltage chage between two terminals and measure the resulting current chages. 두 개의 터미널 사이의 전압 Vce 와 Vbe와 ..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 17. 02:40

-Small Signal Model 아래의 회로에서 생각해보자 여기서 Vb=Vo+Vin이다. Ic=Ico+gm*Vin이다. 그럼 여기서 앞서 배운 Large signal과 small signal로 나누면 Vin, gmVin은 small signal Vo와 Vce는 large signal model이다. 그럼 이를 superposistion을 이용해 아래와 같이 생각해 줄 수 있다. 이를 각각 large model과 small signal model로 나타냈다. 왼쪽의 결과는 앞서 공부한 large signal model이다. 오른쪽은 small signal model인데 여기서 하나 이상한 점이 있다. Base 부분에 전류가 흐르지 않는다. 그럼 여기에 전류가 흘러야 되는데 이를 Ic=Ico+gmVin을..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 16. 00:54

- I-V Characteristic 우선 Vbe와 Vce에서의 전압 전류 관계에 대해 알아보려고 한다. Vbe에서의 관계를 보면 Vce는 constant이고 Vbe가 변함에 따라 exponential한 그래프 개형이 그려지고 있다. 이는 Ic의 식을 따라 나타난 그래프이다. Vce에서는 Vbe를 constant하게 두면 위의 그래프에서와 같이 일정한 값을 갖는 current source와 같다고 전에 살펴보았다. 그럼 Ic의 시간축에 대한 그래프를 생각해보려 한다. 아래의 상황에서 한번 생각해보자. 위의 회로에서 base에 Vo로 bias가 되어 있다. 이때 mike에서 sinusoidal한 파형이 나온다고 가정하면 위와 같이 Vo를 중심으로 파형이 형성된다. 그럼 이를 한 번에 나타내기 위해서 3개의..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 15. 22:21

Lecture 14에서 본 amplifier를 보면서 어디에서 문제가 있는지 알아보자. 위의 회로에서 마이크에서 최대 10mV 정도로 해주자. load 저항의 전압은 Vout으로 전류 값은 Vout/Rl이다. 이를 KCL을 이용해 나타내면 Ic=-Vout/Rl이다. 이를 통해 Rc를 구하면 아래와 같이 식을 전개할 수 있다. load 저항의 값이 너무 크다. 즉 Vbe의 값이 너무 작으면 amplifier가 제대로 된 역할을 하는 것이 불가능함을 확인할 수 있다. 이를 확인하기 위해서 아래와 같이 Ic에 대한 그래프를 그려보았다. 현재 10mV가 0에서 증가하였다고 보면 매우 작은 값이 증가했다. 그에 비해 750mV에서 760mV로 10mV가 증가한 경우 약 780uA가 증가했음을 확인할 수 있다. 이..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 14. 16:36

Basic Properties of Bipolar Transistor Collector의 전류 값은 앞서 배웠듯이 위와 같은 exp의 관계를 갖는다. 그럼 여기서 Is의 값에 대해서 알아보자. 우선 Is는 위와 같이 식이 써지고 Ae는 emitter cross section area Wb는 Base width Nb는 doping in base를 말한다. 여기서 중요한 값은 Ae이다. 병렬로 transistor를 연결시 키 주면 emitter의 cross section이 늘어나는 것이고 (ex 4.2) 그 결과 Is가 증가하면서 Ic가 증가하게 된다. 그럼 이제 transistor의 특징에 대해 알아보자. - Vbe가 60mV 증가하게 되면 Ic는 얼마의 변화를 보일까? 결과적으로 말하자면 Ic는 10배가..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 13. 23:49

이제는 Transistor에 대해 배워보려고 한다. 우선 amplifier가 무엇인지 알아보자. Amplifier는 말 그대로 증폭기이다. 위에서와 같이 Vin이 Vout처럼 진폭이 커지게 하는 것이 amplifier이다. 그럼 이 amplifier를 만들려면 어떻게 해야 될까?? amp를 만들기 위해서는 dependant source를 필요로 한다. 위의 회로에서는 전압에 의한 전류원을 이용했다. Vout을 구하기 위해 KCL을 이용하면 아래와 같이 식을 세울 수 있다. Vout이 -kRVin으로 나오는데 지금 현재 우리가 보려는 것은 진폭이기 때문에 부호는 중요치 않다. 이러한 과정을 통해 Vout이 증폭된 결과를 얻을 수 있다. 그럼 이 dependant source를 구하면 증폭이 가능하다는 것일..

윤. 전기전자/Biploar Transistor 2021. 1. 13. 00:03